[发明专利]一种LED面板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种LED面板及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：在衬底上形成若干芯片半成品，芯片半成品中的P型电极为磁体，芯片半成品之间设有隔离槽；通过隔离槽湿法腐蚀芯片半成品，直到芯片半成品变成倒圆锥体与衬底分离；在基板上设置电极固定块，电极固定块远离基板的一端和对应的芯片半成品中P型电极远离P型氮化镓层的一端为异名磁极；将所有芯片半成品和基板放入同一溶液中，各个芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的电极固定块上；在各个芯片半成品上设置绝缘层；在绝缘层上设置N型电极连接线。本发明可以避免由于劈裂衬底分离芯片造成破片和发光层损伤，大大提高了产品良率。

主权项

1.一种LED面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽；通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，直到所述芯片半成品变成倒圆锥体与所述衬底分离，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；在基板上设置与所述芯片半成品一一对应的电极固定块，所述电极固定块为磁体，所述电极固定块远离所述基板的一端和对应的所述芯片半成品中所述P型电极远离所述P型氮化镓层的一端为异名磁极；将所有所述芯片半成品和所述基板放入同一溶液中，各个所述芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的所述电极固定块上；在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。