[发明专利]基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710575821.1 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107316943B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 梁凤霞;王九镇;梁林;童小伟;王迪;罗林保 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带光电探测器及其制备方法，是在绝缘玻璃的上表面设置有FA0.85Cs0.15PbI3薄膜，在FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上设置有一对与其呈欧姆接触的金薄膜电极。本发明的光电探测器利用FA0.85Cs0.15PbI3薄膜比表面积大的特点，同时充分利用其超高的电子迁移率，使得器件响应速度超快，且光吸收能力强、对紫外光到可见光范围感应灵敏、抗电磁干扰强，为钙钛矿材料在光电探测器的应用中开拓了新的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碘铅铯甲脒 薄膜 宽波带 超高速 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是在绝缘玻璃的上表面设置有FA0.85Cs0.15PbI3薄膜，在所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上设置有一对与所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜呈欧姆接触的金薄膜电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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