[发明专利]加工半导体晶片的方法和覆盖半导体晶片的保护覆盖件有效

申请号：	201710576245.2	申请日：	2017-07-14
公开（公告）号：	CN107634003B	公开（公告）日：	2021-05-14
发明（设计）人：	弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯;罗兰德·鲁普	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/30	分类号：	H01L21/30;H01L21/77;H01L27/04;H01L21/82
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	丁永凡;张春水
地址：	德国瑙伊***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	根据不同的实施方式，方法能够包括：加工半导体晶片(102，202)，所述半导体晶片具有第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b)，所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置；其中半导体晶片(102，202)在第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s)，所述电路区域具有至少一个电子电路。根据不同的实施方式，用于加工半导体晶片(102，202)的方法能够包括：形成至少部分地包围至少一个电路区域(102s)的加固结构(106)，所述加固结构加固半导体晶片(102，202)，其中加固结构(106)至少在至少一个电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a)；从第二主工艺侧(102b)起打薄具有加固结构(106)的半导体晶片(102，202)。
搜索关键词：	加工半导体晶片方法覆盖保护
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【主权项】：

一种用于加工半导体晶片(102，202)的方法，其中所述半导体晶片(102，202)具有：·第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b)，所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置；·其中所述半导体晶片(102，202)在所述第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s)，所述电路区域具有至少一个电子电路(104)；其中所述方法包括：·形成至少部分地包围至少一个所述电路区域(102s)的加固结构(106)，所述加固结构加固所述半导体晶片(102，202)，其中所述加固结构(106)至少在至少一个所述电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a)；·从所述第二主工艺侧(102b)起打薄具有所述加固结构(106)的所述半导体晶片(102，202)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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