[发明专利]高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法

摘要

一种高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其包括如下提供衬底，在所述衬底表面形成N型外延层、第一多晶硅层、第一TEOS层；形成贯穿所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层的基区沟槽；在所述第一P型多晶硅层下方的N型外延层形成P型扩散区域，对所述N型外延层进行基区掺杂形成所述基区；在所述基区上、所述基区沟槽中、所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层上依序形成第二多晶硅层及所述第二TEOS层；干法回刻所述第二多晶硅层形成多晶硅侧墙；及湿法腐蚀所述第二TEOS层去除所述第一TEOS层上以及所述基区上中间部分的第二TEOS层，而所述多晶硅侧墙接触的第二TEOS层被保留，所述被保留的第二TEOS层作为所述基极与发射极之间侧墙。

主权项

一种高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底表面形成N型外延层，在所述N型外延层表面形成第一多晶硅层，以及在所述第一多晶硅表面形成第一TEOS层；利用第一光刻胶刻蚀所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层形成贯穿所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层的基区沟槽；对所述第一多晶硅层进行退火扩散从而在所述第一P型多晶硅层下方的N型外延层形成P型扩散区域，利用所述基区沟槽对所述N型外延层进行基区掺杂形成所述基区；在所述基区上、所述基区沟槽中、所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层上依序形成第二多晶硅层及所述第二TEOS层；干法回刻所述第二多晶硅层，使得位于所述基区沟槽两侧的所述第二TEOS层上形成多晶硅侧墙；及湿法腐蚀所述第二TEOS层去除所述第一TEOS层上以及所述基区上中间部分的第二TEOS层，而所述多晶硅侧墙接触的第二TEOS层被保留，所述被保留的第二TEOS层作为所述基极与发射极之间侧墙。