[发明专利]一种脉冲激光发射电路

摘要

本发明提出一种脉冲激光发射电路。包括高压发生电路以及激光发射驱动电路，高压发生电路为驱动电路提供高压，驱动电路发射激光；升压控制器通过产生开关信号控制MOS管的通断，在MOS管开启瞬间，电源电压给储能电感充电，通过第一二极管所构成的回路将电能存储电容，当MOS芯片断开以后二极管反向截止使得输出电容对负载进行放电，产生160V高压；驱动信号通过电流放大芯片进行电流放大，放大后的信号输入到开关MOS芯片的栅极，在开关MOS管关闭时间内，通过高压发生电路提供的高压源对储能电容充电，储能电容在开关MOS管开启时间内，通过激光二极管所在回路瞬间放电，产生大电流，从而发射出高重频窄脉冲的激光。

主权项

一种脉冲激光发射电路，其特征在于，包括高压发生电路以及激光发射驱动电路，高压发生电路为驱动电路提供高压，驱动电路发射激光；高压发生电路包括升压控制器(U1)、第一电阻(R1)、第三电容(C3)、第五电容(C5)、第二电阻(R2)、滑动变阻器(Rf1)、第三电阻(R3)、第四电容(C4)、第六电容(C6)、第四电阻(R4)、第一开关MOS芯片(Q1)、第一电感(L1)、第一二极管(D1)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)；其中，升压控制器(U1)的电源管脚(VIN)与外部电压源连接，同时与第一电容(C1)、第二电容(C2)、第四电容(C4)以及电感(L1)的第一端连接，第一电容(C1)、第二电容(C2)、第四电容(C4)的第二端接地；升压控制器(U1)电流采样输入管脚(ISEN)与第四电阻(R4)和第六电容(C6)的第一端以及第一开关MOS芯片(Q1)的源极连接，第四电阻(R4)和第六电容(C6)的二端接地；升压控制器(U1)的频率补偿管脚(COMP)与第三电容(C3)的第一端连接，第三电容(C3)的第二端与第一电阻(R1)的第一端连接，第一电阻(R1)的第二端接地；升压控制器(U1)的反馈管脚(FB)与第二电阻(R2)第一端连接以及滑动变阻器(Rf1)的滑动端连接，滑动变阻器(Rf1)的一固定端接第五电阻(R5)的第二端，升压控制器(U1)的反馈管脚(FB)同时接第五电容(C5)的第一端，第二电阻(R2)和第五电容(C5)的第二端均接地；升压控制器(U1)的模拟地管脚(AGND)和升压控制器(U1)的数字地管脚(PGND)直接接地；升压控制器(U1)的输出驱动管脚(DR)与第一开关MOS芯片(Q1)的栅极相连；升压控制器(U1)的频率调节管脚(FA/SD)接第三电阻(R3)的第一端，第三电阻(R3)的第二端接地；第一MOS芯片(Q1)的漏极接第一二极管(D1)的正极以及电感(L1)的第二端；第一二极管(D1)的负极与第五电阻(R5)的第一端连接后输出高压，输出高压存储于后接储能电容。