[发明专利]基于双F-P腔的高温剪应力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710580047.3 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107543648B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 苑伟政;马志波;马炳和;邓进军;张晗;郭雪涛 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G01L11/02 | 分类号： | G01L11/02 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 吕湘连 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于微机电系统(MEMS)领域，尤其涉及一种微型高温剪应力传感器。该高温剪应力传感器，采用双F‑P腔测量隔板前后压差的方式实现剪应力的测量，解决了采用电学信号测量无法实现高温测量的难题，有效提升了剪应力传感器的耐高温性能。同时，该传感器采用F‑P腔的测量方式，器件结构封闭，有效解决了高焓流场环境下污染造成的传感器失效问题。传感器采用MEMS技术一体化加工完成，结构强度较高，在高速流场环境下不易发生隔板断裂失效。本发明提出的传感器制作工艺简单，可采用碳化硅、蓝宝石等耐高温材料完成传感器制作，进一步提高传感器的耐高温性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 高温 剪应力 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于双F‑P腔的高温剪应力传感器，其特征在于，主要包括基底(1)、结构层(2)、前置光纤(3)和后置光纤(4)；所述结构层(2)上有前置F‑P腔(5)，后置F‑P腔(6)，前置敏感膜片(7)，后置敏感膜片(8)及隔板(9)，前置F‑P腔(5)和后置F‑P腔(6)相对隔板(9)位置对称，前置敏感膜片(7)置于前置F‑P腔(5)上，后置敏感膜片(8)置于后置F‑P腔(6)上；前置敏感膜片(7)与后置敏感膜片(8)表面平齐，隔板(9)则凸起于该表面；前置光纤(3)和后置光纤(4)分别安装在与前置F‑P腔(5)和后置F‑P腔(6)中心位置对应的基底(1)的下方，用于传导压力信息。
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