[发明专利]一种SRAM控制方法及控制器、控制系统有效

专利信息
申请号: 201710580241.1 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN109271333B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 李晓莎;向茜;王强 申请(专利权)人: 深圳市中兴微电子技术有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 姜春咸;冯建基
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本文公布了一种SRAM控制方法及控制器、控制系统,包括:根据自身SRAM的读请求和/或写请求,向自身SRAM读数据和/或写数据;将针对兄弟SRAM的读请求通过先进的可扩展接口AXI总线输出到相应的兄弟SRAM控制器;将来自所述自身SRAM或所述兄弟SRAM控制器的读数据通过所述AXI总线输出。本申请能够实现多个DSP交叉访问多个SRAM。
搜索关键词: 一种 sram 控制 方法 控制器 控制系统
【主权项】:
1.一种静态随机存取存储器SRAM控制方法,其特征在于,包括:根据自身SRAM的读请求和/或写请求,向自身SRAM读数据和/或写数据;将针对兄弟SRAM的读请求通过先进的可扩展接口AXI总线输出到相应的兄弟SRAM控制器;将来自所述自身SRAM或所述兄弟SRAM控制器的读数据通过所述AXI总线输出。
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