[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710580672.8 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109273524B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 唐粕人 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构，栅极结构下方衬底中具有沟道区，栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；在栅极结构第一侧的衬底中形成第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层中具有第一源漏离子，第一源漏掺杂层与所述沟道区的接触面上具有凸出部；在栅极结构第二侧的衬底中形成第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层中具有第二源漏离子，所述第二源漏离子与所述第一源漏离子的导电类型相反。其中，沟道开启之后，所述凸出部能够增加所述第一源漏掺杂层与第二源漏掺杂层之间的电场强度，从而能够增加所形成隧穿场效应晶体管的导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构下方衬底中具有沟道区，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层中具有第一源漏离子，所述第一源漏掺杂层与所述衬底的沟道区的接触面上具有凸出部；在所述栅极结构第二侧的衬底中形成第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层中具有第二源漏离子，所述第二源漏离子与所述第一源漏离子的导电类型相反。
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