[发明专利]具伸张应力鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构有效
申请号: | 201710584810.X | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN109273440B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 李凯霖;李志成;陈威任;康庭绚;何仁愉;黄泓文;陈纪孝;杨皓翔;石安石;谢宗翰 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/78 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种具有伸张应力的鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构,其具有伸张应力的鳍状结构的制作方法,包含提供一基底包含一N型晶体管区和一P型晶体管区,接着形成二第一沟槽和二第二沟槽于基底中,第一沟槽定义出一鳍状结构,第二沟槽截断第一沟槽,然后进行一流动型化学气相沉积步骤,以形成一氧化硅层填入第一沟槽和第二沟槽,之后形成一图案化掩模只位于N型晶体管区,图案化掩模只重叠位于第二沟槽内的氧化硅层,然后以图案化掩模为掩模,去除部分的氧化硅层直至曝露出的氧化硅层的上表面低于鳍状结构的上表面。 | ||
搜索关键词: | 伸张 应力 结构 制作方法 互补 式鳍状 晶体管 | ||
【主权项】:
1.一种具有伸张应力的鳍状结构的制作方法,包含:提供一基底包含一N型晶体管区和一P型晶体管区;形成二条第一沟槽和二条第二沟槽于该基底中,该二条第一沟槽出定义一鳍状结构,该二条第二沟槽截断该二条第一沟槽;进行一流动型化学气相沉积步骤,以形成一氧化硅层填入该二条第一沟槽和该二条第二沟槽;平坦化该氧化硅层,其中在平坦化该氧化硅层后,该氧化硅层的上表面不低于该鳍状结构的上表面;形成一图案化掩模只位于该N型晶体管区,该图案化掩模只重叠位于该二条第二沟槽内的该氧化硅层;以该图案化掩模为掩模,去除部分的氧化硅层直至位于N型晶体管区内的该第一沟槽中的该氧化硅层的上表面以及位于该P型晶体管区内的该氧化硅层的上表面低于该鳍状结构的上表面;以及移除该图案化掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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