[发明专利]一种提高硅膜层与阳极结合力的方法

摘要

本发明涉及一种提高硅膜层与阳极结合力的方法，属于薄膜沉积技术领域。解决现有技术中大口径RB‑SiC基底采用face‑up表面改性方式易导致的阳极表面沉积的Si层脱落造成被镀镜体表面缺陷的技术问题。本发明提供的提高硅膜层与阳极结合力的方法包括对阳极表面进行刻画图案处理，然后对阳极进行喷砂处理，最后进行对阳极进行Al喷涂处理。该方法实现Si膜层与阳极的牢固的结合，防止Si膜层脱落造成被镀镜体表面缺陷，提高膜层的抛光特性，获得了高质量的光学表面，能够满足高质量空间光学系统的应用要求，这为大口径RB‑SiC基底反射镜的应用提供了有力的保障。

主权项

一种提高硅膜层与阳极结合力的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、切割图案在阳极表面刻画出几何图案；步骤2、阳极表面喷砂处理调节喷砂机压力，添加砂料，将刻画好图案的阳极放入喷砂机内，调节压缩空气与送砂量的比例，对工装进行均匀喷砂；步骤3、清洗烘干用水将喷砂处理后的工装进行清洗，然后烘干；步骤4、喷涂处理用电弧喷涂设备对喷砂处理后的阳极进行喷涂，喷涂材料为Al丝；步骤5、清洗烘干用水将喷砂处理后的工装进行清洗，然后烘干。