[发明专利]MOS型功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710587041.9 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109273529A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 秦博;肖秀光;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了MOS型功率器件及其制备方法。所述MOS型功率器件包括：衬底；阱区；源区；栅氧化层；栅电极；绝缘介质层；源区电极，其中，阱区的下表面设置有向下延伸的凸起部。由此，该MOS型功率器件具有足够深的阱深，可以保证充足的耐压余量，同时具有足够短的沟道，更低的饱和压降，达到增大沟道密度和减小沟道短路电流的目的，有效的降低导通电阻，并提高短路安全能力，充分保证了器件应用中的可靠性，而且，具有准沟道电流自夹断功能，提升器件的高压大电流关断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 阱区 制备 高压大电流 绝缘介质层 安全能力 饱和压降 导通电阻 短路电流 沟道电流 器件应用 提升器件 向下延伸 源区电极 栅氧化层 凸起部 下表面 栅电极 短路 衬底 关断 夹断 减小 耐压 源区 保证 | ||
【主权项】：
1.一种MOS型功率器件，其特征在于，包括：衬底；阱区，所述阱区设置在所述衬底的上表面，且所述阱区的下表面设置有向下延伸的凸起部；源区，所述源区对称设置在所述阱区上表面的两侧，所述衬底、所述阱区和所述源区限定出凹槽；栅氧化层，所述栅氧化层填充在所述凹槽内；栅电极，所述栅电极设置在所述栅氧化层中；绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述栅氧化层、所述栅电极和部分所述源区的上表面；源区电极，所述源区电极设置在所述阱区上表面的中部、部分所述源区的上表面和所述绝缘介质层的上表面。
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