[发明专利]一种增强空穴注入的异质结构LED器件

摘要

一种增强空穴注入的异质结构LED器件，包括衬底及衬底上的外延结构，所述外延结构包括沿外延生长方向依次设置的缓冲层、非故意掺杂层、n型电子漂移层、多量子阱发光有源区、p型电子阻挡层、p型空穴漂移层和p型接触层，所述n型电子漂移层上设置有n型欧姆接触电极，所述p型接触层上设置有p型欧姆接触电极，所述p型电子阻挡层由沿外延生长方向依次设置的p‑AlxGa1‑xN层、p‑Iny1Ga1‑y1N/p‑Iny2Ga1‑y2N/p‑Iny3Ga1‑y3N复合层及p‑AlzGa1‑zN层构成。本发明能够在保证对电子较好的阻挡作用、不增加器件工作电压的基础上，有效地提高空穴浓度和空穴漂移速率，缓解Mg受主激活能大、空穴迁移率低造成的不利影响，大大增强了空穴注入，从而提高了器件发光效率。

主权项

一种增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：包括衬底（1）及衬底（1）上的外延结构，所述外延结构包括沿外延生长方向依次设置的缓冲层（2）、非故意掺杂层（3）、n型电子漂移层（4）、多量子阱发光有源区（5）、p型电子阻挡层（6）、p型空穴漂移层（7）和p型接触层（8），所述n型电子漂移层（4）上设置有n型欧姆接触电极（9），所述p型接触层（8）上设置有p型欧姆接触电极（10），所述p型电子阻挡层（6）由沿外延生长方向依次设置的p‑AlxGa1‑xN层（61）、p‑Iny1Ga1‑y1N/p‑Iny2Ga1‑y2N/p‑Iny3Ga1‑y3N复合层（62）及p‑AlzGa1‑zN层（63）构成，其中所述p‑AlxGa1‑xN层（61）用于阻挡电子，所述p‑Iny1Ga1‑y1N/p‑Iny2Ga1‑y2N/p‑Iny3Ga1‑y3N复合层（62）用于调整价带和电场强度，使价带更接近空穴的准费米能级而提高空穴浓度，并使空穴在更大的电场下加速获得更高速率，所述p‑AlzGa1‑zN层（63）用于辅助增强阻挡电子。