[发明专利]基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法有效

申请号：	201710591157.X	申请日：	2017-07-19
公开（公告）号：	CN107256837B	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	张佳磊;薛宏伟;张志勤;王铁刚	申请（专利权）人：	河北普兴电子科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L21/304;H01L21/02
代理公司：	13120 石家庄国为知识产权事务所	代理人：	李荣文
地址：	050200 河北省石***	国省代码：	河北;13
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摘要：	本发明公开了一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；将处理后的所述外延片在纯水中进行第一清洗；将经过所述第一清洗的所述外延片在氢氟酸溶液中漂洗；将漂洗后的所述外延片在纯水中进行第二清洗；将经过所述第二清洗的所述外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；再将所述外延片在纯水中进行第三清洗；再通过氮气将所述外延片吹干；最后使用汞探针电容电压法测量装置测量所述外延片。本发明能够使测量结果准确。
搜索关键词：	基于超级衬底外延电阻率测量方法
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【主权项】：

1.一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：/n对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；/n将处理后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第一清洗；/n将经过所述第一清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在氢氟酸溶液中漂洗；/n将漂洗后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第二清洗；/n将经过所述第二清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；/n将在双氧水溶液中煮预设时间后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第三清洗；/n通过氮气将经过所述第三清洗后的所述基于超级背封衬底的外延片吹干；/n使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片；/n所述对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，具体包括：/n将划伤模具覆盖在所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，所述划伤模具设有划伤开口；/n使用划伤工具通过所述划伤开口划伤所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，划伤多晶背封层。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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