[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 201710593376.1 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107195609B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 小山田哲哉;宇野智裕;出合博之;小田大造 | 申请（专利权）人： | 日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。
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