[发明专利]一种基于CMOS工艺的宽带双向射频放大器有效

专利信息
申请号: 201710594348.1 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107733373B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 胡善文;饶疆 申请(专利权)人: 安徽矽芯微电子科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/19
代理公司: 北京双收知识产权代理有限公司 11241 代理人: 王菊珍
地址: 230088 安徽省合肥市高新区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种基于CMOS工艺的宽带双向射频放大器,可克服传统基于单刀双掷开关结构的双向射频放大器的不足,包括正向放大器宽带和反向放大器宽带,正向放大器宽带和反向放大器宽带都采用带RC负反馈的共源组态电路拓扑,正向放大器宽带的射频输入端和反向放大器宽带的射频输出端连接在一起,正向放大器宽带的射频输出端和反向放大器宽带的射频输入端连接在一起。本发明基于CMOS工艺实现,电路结构简单,能够实现正向和反向放大,具有较高的隔离度。该电路结构无需射频单刀双掷开关进行切换,消除了因开关引损耗起的噪声系数和输出功率恶化问题,同时两个端口在正向和反向工作模式下均能实现宽带匹配。
搜索关键词: 一种 基于 cmos 工艺 宽带 双向 射频放大器
【主权项】:
一种基于CMOS工艺的宽带双向射频放大器,包括正向放大器宽带(LNA)和反向放大器宽带(PA),其特征在于:正向放大器宽带(LNA)和反向放大器宽带(PA)都采用带RC负反馈的共源组态电路拓扑,正向放大器宽带(LNA)的射频输入端和反向放大器宽带(PA)的射频输出端连接在一起,正向放大器宽带(LNA)的射频输出端和反向放大器宽带(PA)的射频输入端连接在一起。
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