[发明专利]一种环形振荡器有效

专利信息
申请号: 201710594986.3 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107517045B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 吴建东;吴为敬;姚若河 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03
代理公司: 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人: 王东东
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种环形振荡器,包括N级伪CMOS自举反相器,伪CMOS自举反相器由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及自举电容构成;包含四个端口:正相输入端口、反相输入端口、第一输出端口和第二输出端口;第一晶体管和第二晶体管构成第二反相器,第三晶体管和第四晶体管构成第一反相器,伪CMOS自举反相器由于第二反相器的输出电压可关断第一反相器的上拉管从而具有较低功耗,通过添加自举电容以增大输出摆幅。本发明的环形振荡器通过新的互联方式可改善第二反相器上拉管的常开状态,进一步降低第二反相器的功耗,降低环形振荡器的功耗延迟积,实现全摆幅输出。
搜索关键词: 一种 环形 振荡器
【主权项】:
1.一种环形振荡器,其特征在于,包括N级伪CMOS自举反相器,所述伪CMOS自举反相器包括自举电容(C1)及四个信号端口,所述四个信号端口分别为反相输入口(INn)、正相输入口(INp)、第一输出口(OUT1)及第二输出口(OUT2),所述自举电容(C1)的一端连接第一输出口(OUT1),另一端连接第二输出口(OUT2);/n所述伪CMOS自举反相器还包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)及第四晶体管(M4),其中第一晶体管(M1)及第二晶体管(M2)构成第二反相器,第三晶体管(M3)及第四晶体管(M4)构成第一反相器;/n所述第一晶体管(M1)的漏极与电源(VDD)连接,其栅极作为正相输入口(INp),其源极与第二晶体管(M2)的漏极连接,作为第二输出口(OUT2),输出电压为第二反相器的输出电压(VOUT2);/n第二晶体管(M2)的栅极作为反相输入口(INn),其源极与接地端(GND)连接;/n第三晶体管(M3)的漏极与电源(VDD)连接,其栅极与第一晶体管(M1)的源极连接,其源极与第四晶体管(M4)的漏极连接,同时作为第一输出口(OUT1),其输出电压为第一反相器的输出电压(VOUT1);/n第四晶体管(M4)的栅极与第二晶体管(M2)的栅极连接,其源极与接地端(GND)连接。/n
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