[发明专利]基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计有效

专利信息
申请号: 201710596908.7 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN109282903B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 纪小丽;张朝阳;杨琪轩;沈凡翔;黄延;段佳华;朱晨昕;司伟;闫锋 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 李媛媛
地址: 210046 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计。该微测辐射热计包括L形微桥结构,微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体,红外吸收体为多层结构,自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层。本发明的微测辐射热计结构与传统的微测辐射热计结构相比,在热敏电阻层上面增加了金属光栅,形成MIM结构,该结构利用表面电磁波激发共振,显著提高了探测器的红外吸收率,增加了探测器响应,实现高效率探测。同时本发明的微测辐射热计基于标准CMOS集成电路工艺,具有工艺上容易实现、价格低廉等优点。
搜索关键词: 基于 表面 电磁波 共振 性能 cmos 红外 辐射热
【主权项】:
1.基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计,包括L形微桥结构,其特征在于,微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体,红外吸收体为多层结构,自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层。
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