[发明专利]一种逆导FS‑IGBT的制备方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明的方法包括在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(FS层)；所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质，使其在表面形成P型区与N型区交隔的结构；在所形成的P型区与N型区交割的结构上淀积厚度约1um的二氧化硅层；另取一块N型或P型硅片与形成二氧化硅层表面键合，使两个硅片键合在一起；翻转硅片，减薄硅片至设计厚度，并在减薄后的表面上完成IGBT正面工艺；翻转硅片，减薄硅片背面至氧化层，使用湿法刻蚀完全去除背面氧化层，并对裸露出的P型区与N型区交割的结构进行适当较薄清洗，随后淀积背面金属层，形成集电极。

主权项

一种逆导FS‑IGBT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在一块N型半导体硅片(1)上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(2)，厚度6um，注入剂量1013～1014个/cm2，退火温度1150～1200℃，退火时间90～300分钟；b.在a步所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质，注入剂量为1012～1013个/cm2，退火温度450℃，退火时间30～90分钟使其在表面形成P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构，推结深度约为1‑2um；c.在b步所形成的P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构上淀积厚度1um的二氧化硅层(5)；d.另取一块N型或P型硅片(6)，与c步形成二氧化硅层表面键合，使两个硅片键合在一起，键合温度300～1100℃，定义另取的硅片未键合一侧表面为背面，原硅片未键合一侧为正面；e.翻转硅片，减薄硅片至设计厚度，并在减薄后的表面上完成IGBT正面工艺：包括：形成栅氧化层(7)、多晶硅层(8)、P阱(9)、N+发射区(10)、BPSG层(11)及正面金属层(12)；f.翻转硅片，减薄硅片背面至氧化层，使用湿法刻蚀完全去除背面氧化层，并对裸露出的P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构进行适当减薄清洗，随后淀积背面金属层，形成集电极(13)。