[发明专利]一种低压逆导FS‑IGBT的制备方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种低压逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明的方法包括在一块低电阻率高掺杂浓度的P型半导体硅片上通过光刻离子注入N型杂质形成P型区与N型区交隔结构；在形成的P型区与N型区交隔结构上外延N型缓冲层；在形成的N型缓冲层上继续外延形成N型漂移区；在形成的N型漂移区上完成IGBT正面工艺；减薄背面硅片至P型区与N型区交隔区，继续缓慢减薄硅片至设计厚度，注意保留部分P型区与N型区交隔结构；在背面的P型区与N型区交隔结构上蒸发淀积金属层，形成FS‑IGBT集电极；本发明用于制备低压逆导FS‑IGBT，不需要高能离子注入设备制备缓冲层，可有效提高芯片成品率，降低成本。

主权项

一种低压逆导FS‑IGBT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在一块低电阻率高掺杂浓度的P型半导体硅片(1)上通过光刻离子注入N型杂质形成P型区与N型区(2)相互交替排列的结构，N型区推结深度为10um，注入剂量1014～1015个/cm2,退火温度1150～1200℃，退火时间100～300分钟；b.在a步所形成的P型区与N型区(2)相互交替排列的结构上表面外延N型缓冲层(3)，外延层厚度为5um，外延层掺杂浓度为1016～1018个/cm3；c.在b步所形成的N型缓冲层上(3)上表面外延形成N型漂移区(4)，漂移区电阻率为70～200欧姆*厘米，厚度为50～70um；d.在c步形成的N型漂移区上完成IGBT正面工艺：包括：形成栅氧化层(5)、多晶硅层(6)、P阱(7)、N+发射区(8)、BPSG层(9)及正面金属层(10)；e.减薄背面硅片至P型区与N型区(2)交隔区；f.在背面的P型区与N型区交隔结构上蒸发淀积金属层，形成FS‑IGBT集电极。