[发明专利]一种用于模分复用系统的超低衰减少模光纤

摘要

本发明涉及用于模分复用系统的超低衰减少模光纤，包括芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.02％～0.04％，R1为8.2～10μm；所述的包层由内向外依次包括第一内包层、下陷内包层、第二内包层和外包层，第一内包层相对折射率差Δ2为‑0.36％～‑0.33％，R2为11μm～15μm，下陷内包层紧密相对折射率差Δ3为‑0.85％～‑0.6％，R3为16.5μm～22μm，第二内包层紧密包绕下陷包层，其相对折射率差Δ4为‑0.37％～‑0.34％，R4为19μm～35μm，外包层紧密围绕第二内包层，为纯二氧化硅玻璃层。本发明的光纤在1550nm支持四个稳定的线偏振光传输模式，且每个模式均具有超低衰减，又具有较小的差分模群时延，本发明工艺简单，便于制作。

主权项

一种用于模分复用系统的超低衰减少模光纤，包括芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.02％～0.04％，半径R1为8.2～10μm；所述的包层由内向外依次包括第一内包层、下陷内包层、第二内包层和外包层，所述的第一内包层为紧密包绕芯层的内包层，相对折射率差Δ2为‑0.36％～‑0.33％，半径R2为11μm～15μm，所述的下陷内包层紧密包绕第一内包层，其相对折射率差Δ3为‑0.85％～‑0.6％，半径R3为16.5μm～22μm，所述的第二内包层紧密包绕下陷包层，其相对折射率差Δ4为‑0.37％～‑0.34％，半径R4为19μm～35μm，所述的外包层紧密围绕第二内包层，为纯二氧化硅玻璃层。