[发明专利]一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 201710600062.X | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107579113A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 甘朝阳;董少华;刘江;朱涛;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，P型区结构的截面形状为倒T形，位于假栅沟槽结构底部，并且倒T形两端包裹住所述沟槽结构的底部，所述假栅沟槽结构的截面形状为与所述P型区结构相配合的Π形。本发明提供的技术方案中倒T形P岛延伸至trench底部，可以降低trench底部电场，保护trench底部不被击穿，而且可以为漂移区提供空穴载流子，从而增大P‑well下方的空穴载流子浓度，增强电导调制效应，降低导通电阻，且距离P‑well较近，关断时多余的空穴载流子可以迅速被扫出，关断电流较小；T型P岛为一体，充满整个dummy trench底部，可以平衡电场，保证器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，P型区结构(7)的截面形状为倒T形，位于假栅沟槽结构(3)底部，并且倒T形两端包裹住所述沟槽结构(3)的底部，所述假栅沟槽结构(3)的截面形状为与所述P型区结构(7)相配合的Π形。
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