[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710600282.2 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107799422B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 徐志安;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种形成半导体器件的方法，包括在半导体鳍的中间部分的顶面和侧壁上形成伪栅极堆叠件，并且形成间隔件层。间隔件层包括位于伪栅极堆叠件的侧壁上的第一部分、和位于半导体鳍的一部分的顶面和侧壁上的第二部分。方法还包括在间隔件层上执行注入。在注入之后，执行退火。退火之后，蚀刻间隔件层的第二部分，其中，在蚀刻之后，保留间隔件层的第一部分。在半导体鳍的侧部上形成源极/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍的中间部分的顶面和侧壁上形成伪栅极堆叠件；形成间隔件层，包括：位于所述伪栅极堆叠件的侧壁上的第一部分；和位于所述半导体鳍的一部分的顶面和侧壁上的第二部分；在所述间隔件层上执行注入；在所述注入之后，执行退火；所述退火之后，蚀刻所述间隔件层的第二部分，其中，在所述蚀刻之后，保留所述间隔件层的第一部分；以及在所述半导体鳍的侧部上形成源极/漏极区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710600282.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的形成方法
- 下一篇：用于生产具有至少一个过孔的金属陶瓷衬底的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
