[发明专利]半导体装置与半导体装置形成方法有效
| 申请号： | 201710600507.4 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN108122980B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王喻生;林钰庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：金属硅化物区域，形成于半导体材料中，金属硅化物区域包括第一材料及第二材料，第一材料包括金属，第二材料包括氯、氟或其组合，金属硅化物区域的最上部有具有第一浓度的第二材料；盖层，于金属硅化物区域及接触栓塞开口的侧壁上；以及接触栓塞，形成于盖层之上，填充接触栓塞开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一金属硅化物区域，形成于一半导体材料中，该金属硅化物区域包括一第一材料及一第二材料，该第一材料包括一金属，该第二材料包括氯、氟或其组合，该金属硅化物区域的一最上部有具有一第一浓度的该第二材料；一盖层，于该金属硅化物区域及一接触栓塞开口的一侧壁上；以及一接触栓塞，形成于该盖层之上，填充该接触栓塞开口。
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