[发明专利]一种高性能锗锑碲相变薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710602013.X | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107425118A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 胡超权;李超;于晓;郑伟涛 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙)34120 | 代理人： | 何晶晶 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高性能锗锑碲相变薄膜材料及其制备方法，涉及相变材料领域,本发明通过掺杂氮元素来实现Ge2Sb2Te5合金的改性，且氮元素的掺杂含量为5.84‑10.90％，所制备出的高性能锗锑碲相变薄膜材料具有极低的非晶态电阻漂移系数、大的中间电阻态温度范围、低的电阻下降速率、而且在提高结晶温度与非晶、结晶两相电阻对比度的同时能保持非晶‑结晶转变特性，这也使其具有比纯Ge2Sb2Te5更好的作为相变存储器中的基体材料的存储潜力，并且有望提高相变存储器的存储密度和高温下的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 锗锑碲 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能锗锑碲相变薄膜材料，其特征在于，所述锗锑碲薄膜相变材料通过掺杂氮元素来改性，所述氮元素掺杂含量为5.84‑10.90％。
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