[发明专利]一种用于DC-DC转换器的限流误差放大器电路

摘要

本发明提供了一种用于DC‑DC转换器的限流误差放大器电路，属于半导体集成电路技术领域。解决了现有DC‑DC电源系统的限流功能过于复杂且影响效率的技术问题。该电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管。本发明将误差放大器的输出端OUT限制在了一个固定的电压范围内，本发明通过对误差放大器的输出端OUT的电压进行限制达到了对DC‑DC转换器进行限流的效果。

主权项

一种用于DC‑DC转换器的限流误差放大器电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第五PMOS晶体管P5、第六PMOS晶体管P6、第七PMOS晶体管P7、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第五NMOS晶体管N5；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极接第二PMOS晶体管P2和第六PMOS晶体管P6的栅极以及第一NMOS晶体管N1的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，漏极接第五NMOS晶体管N5的漏极；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，栅极接偏置电流输入端BIAS，漏极接第四PMOS晶体管P4和第五PMOS晶体管P5的源极；第四PMOS晶体管P4的栅极接跨导放大器的负输入端INN，漏极接第二NMOS晶体管N2的栅极和漏极以及第一NMOS晶体管N1的栅极；第五PMOS晶体管P5的栅极接跨导放大器的正输入端INP，漏极接第三NMOS晶体管N3的栅极和漏极以及第四NMOS晶体管N4的栅极；第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3和第四NMOS晶体管N4的源极都接地；第四NMOS晶体管N4的漏极接误差放大器的输出端OUT；第五NMOS晶体管N5的栅极接第六PMOS晶体管P6的漏极和第七PMOS晶体管P7的源极，第五NMOS晶体管N5的源极接误差放大器的输出端OUT；第六PMOS晶体管P6的源极接电源；第七PMOS晶体管P7的栅极接基准电压输入端VREF，漏极接地。