[发明专利]隐埋N型沟道的碳化硅功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710604094.7 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107482052B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;苗青;张瑜洁;李昀佶;何佳;陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/328;H01L21/334 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区清河*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种隐埋N型沟道的碳化硅功率器件及其制造方法，通过改变沟道内结构，从而改善电场分布，保护器件，防止器件在高压环境下过热而过早的击穿，起到提高碳化硅功率器件稳定性与可靠性的作用。该隐埋N型沟道的碳化硅功率器件包括：设置在最下方的背面金属接触，设置在背面金属接触的上方的碳化硅衬底，设置在碳化硅衬底的上方的碳化硅外延层，设置在碳化硅外延层中的有源注入区、JTE注入区以及N型隐埋沟道，其中，有源注入区和JTE注入区分别沿器件的中心线对称分布，JTE注入区设置在有源注入区的外侧，N型隐埋沟道设置在有源注入区的主结的下方，设置在碳化硅外延层上方的氧化物钝化层和表面金属接触。 | ||
| 搜索关键词： | 隐埋 沟道 碳化硅 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隐埋N型沟道的碳化硅功率器件，其特征在于，包括：设置在最下方的背面金属接触，设置在所述背面金属接触的上方的碳化硅衬底，设置在所述碳化硅衬底的上方的碳化硅外延层，设置在所述碳化硅外延层中的有源注入区、JTE注入区以及N型隐埋沟道，其中，所述有源注入区和所述JTE注入区分别沿器件的中心线对称分布，所述JTE注入区设置在所述有源注入区的外侧，所述N型隐埋沟道设置在有源注入区的主结的下方，设置在所述碳化硅外延层上方的氧化物钝化层和表面金属接触。
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