[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

提供能够降低导通电阻，并且提高耐压和雪崩耐量的半导体装置和半导体装置的制造方法。SJ‑MOSFET具备将n型漂移区(3)和p型间隔区(4)沿与基体主面平行的方向交替地重复配置而成的并列pn层(2b)。n型漂移区(3)的总杂质量与p型间隔区(4)的总杂质量大致相等，其宽度遍及整个深度方向实质恒定。n型漂移区(3)被设定为使漏极侧的部分(3H)的杂质浓度Cn1比源极侧的部分(3A)的杂质浓度Cn2高ΔCnx而成的n型杂质浓度分布曲线。p型间隔区(4)被设定为使漏极侧的部分(4H)的杂质浓度Cp1比源极侧的部分(4A)的杂质浓度Cp2高ΔCph并且使源极侧的部分(4A)的一部分(4L)的杂质浓度Cp3相对低而成的p型杂质浓度分布曲线。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：并列pn层，将第一导电型半导体区和第二导电型半导体区沿与第一导电型半导体层的表面平行的方向交替地重复配置在所述第一导电型半导体层上而成；元件结构，设置在所述并列pn层的与所述第一导电型半导体层侧相反一侧；第一电极，与构成所述元件结构的半导体部电连接；以及第二电极，与所述第一导电型半导体层电连接，其中，所述第一导电型半导体区的宽度遍及深度方向恒定，所述第二导电型半导体区的宽度遍及深度方向恒定，所述第一导电型半导体区具有使所述第二电极侧的部分的杂质浓度高于所述第一电极侧的部分的杂质浓度而成的杂质浓度分布曲线，所述第二导电型半导体区具有使所述第二电极侧的部分的杂质浓度高于所述第一电极侧的部分的杂质浓度并且使所述第一电极侧的部分的一部分的杂质浓度相对地低于该第一电极侧的部分的其他部分的杂质浓度而成的杂质浓度分布曲线，所述第二导电型半导体区的所述第二电极侧的部分的杂质浓度高于所述第一导电型半导体区的所述第二电极侧的部分的杂质浓度。