[发明专利]一种碳化硅开关器件及制作方法在审
| 申请号： | 201710605562.2 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107579118A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 黄润华;陶永洪;柏松;汪玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，具体包括在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层；在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，并高温退火；生长介质层，制作栅电极，制作隔离介质，制作源极欧姆接触金属和漏极欧姆接触金属，制作源极加厚金属。本发明通过增添一次离子注入的方法实现了碳化硅开关器件导电沟道由同一层离子注入定义，避免了两侧沟道长度不一致引起的导通能力下降及器件可靠性降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 开关 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅开关器件，其特征在于：碳化硅衬底上方为第一掺杂类型层，第一掺杂类型层上方包括第二掺杂类型离子注入形成的第二离子注入层、第一掺杂类型离子注入形成第一离子注入层、第一掺杂类型离子注入形成第三离子注入层和第二掺杂类型离子注入形成第四离子注入层；离子注入层上方为介质层，介质层上方为栅电极，栅电极上方为隔离介质；离子注入层上方设置源极欧姆接触金属，碳化硅衬底下方设置漏极欧姆接触金属；器件上方设置源极加厚金属。
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