[发明专利]多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置在审
| 申请号： | 201710606238.2 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109292777A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈世涛;王文;陈国辉;夏进京;周迎春;宋高杰;黄彬;刘兴平;蒋鹏;王玉丽 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;F27D7/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;邓伯英 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法、启炉方法、生产多晶硅的方法及装置，该硅芯击穿方法包括以下步骤：向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换，再通入380～400℃的氢气进行置换，通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热；打入电压进行硅芯击穿。在打入电压进行击穿时，此时多晶硅还原炉内的氢气仍为380～400℃，可维持硅芯为导体，不会导致硅芯电流、电压波动，实现硅芯击穿。该硅芯击穿方法可击穿200～300Ω·cm的电阻率的硅芯，提升还原一次转化率，由于击穿硅芯的电阻率大大提高，减少了现有技术为降低硅芯电阻率保障硅芯击穿而掺入的磷杂质，所以提升了多晶硅产品质量，且避免引入氮化硅杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 硅芯 击穿 多晶硅还原炉 启炉 氢气 电阻率 多晶硅 置换 非氧化性气体 多晶硅产品 一次转化率 电压波动 导体 氮化硅 磷杂质 预加热 掺入 还原 生产 引入 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅还原炉启炉的硅芯击穿方法，其特征在于，包括以下步骤：向待启炉的多晶硅还原炉内通入非氧化性气体置换，再通入380～400℃的氢气进行置换，通过氢气对多晶硅还原炉内的硅芯进行预加热；打入电压进行硅芯击穿。
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