[发明专利]检查表面的方法和制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201710606610.X | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107782742B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 柳成润;全忠森;梁裕信;池仑庭;宋吉宇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了检查表面的方法和制造半导体器件的方法。所述的方法包括:制备基板;通过设定成像光学系统的放大倍率选择第一光学装置的空间分辨率;朝向基板的第一测量区域发射多波长光并获得第一特定波长图像;基于第一特定波长图像,产生第一光谱数据;基于第一特定波长图像,产生各个像素的第一光谱数据;以及从第一光谱数据提取具有第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱;以及分析该光谱。第一光学装置包括光源、物镜、检测器和成像光学系统。获得第一特定波长图像包括使用成像光学系统和检测器。 | ||
搜索关键词: | 检查 表面 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种检查表面的方法,该方法包括:制备基板,该基板是检查对象;选择第一光学装置的空间分辨率,所述第一光学装置包括配置为发射光的光源、配置为透射从所述光源接收的光的物镜、检测器、以及配置为使由所述检测器检测的光成像的成像光学系统,选择所述第一光学装置的所述空间分辨率包括设定所述成像光学系统的放大倍率;使用用于发射多波长光的所述光源和用于朝向所述基板的第一测量区域透射从所述光源接收的所述多波长光的所述物镜,朝向所述第一测量区域发射所述多波长光;使用所述成像光学系统和所述检测器获得第一特定波长图像;基于所述第一特定波长图像,产生各个像素的第一光谱数据;从所述第一光谱数据提取具有所述第一测量区域或更小的范围的至少一个第一检查区域的光谱;以及分析所述光谱。
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