[发明专利]一种多晶硅蚀刻方法在审
| 申请号： | 201710606790.1 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107507771A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 宋宏坤 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊贤卿 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅蚀刻方法，该方法包括下述步骤将氧气和/或臭氧，以及氟类气体进行电离，得到等离子体态的第一蚀刻气体，在预设时间段通过所述第一蚀刻气体对涂布有光阻的多晶硅进行蚀刻处理；将氯气进行电离，得到等离子体态的第二蚀刻气体，通过所述第二蚀刻气体对所述多晶硅进行蚀刻处理，直至所述多晶硅蚀刻完成。本发明可以使得多晶硅的线宽可以较小，达到预设的线宽要求，而且可以改善多晶硅角度，使多晶硅角度变得更小，也使得多晶硅的线宽损失更小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅蚀刻方法，其特征在于，包括下述步骤：S1、将氧气和/或臭氧，以及氟类气体进行电离，得到等离子体态的第一蚀刻气体，在预设时间段通过所述第一蚀刻气体对涂布有光阻的多晶硅进行蚀刻处理；S2、将氯气进行电离，得到等离子体态的第二蚀刻气体，通过所述第二蚀刻气体对所述多晶硅进行蚀刻处理，直至所述多晶硅蚀刻完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
