[发明专利]一种太赫兹调制器和调制方法在审
申请号: | 201710607024.7 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN109298547A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 沈百林;李蒙;郝然;李尔平;朱海霞 | 申请(专利权)人: | 中兴光电子技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李红爽;李丹 |
地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提出一种太赫兹调制器和调制方法,包括:波导硅层、石墨烯层、电极和绝缘层;两层石墨烯层之间设置绝缘层,每层石墨烯层的外侧设置波导硅层,每层石墨烯层上设置电极。由于石墨烯是目前发现的电子迁移率最高的材料,因此采用石墨烯作为调制媒质可有效提高太赫兹调制器的调制速度。采用波导结构并从侧面入射太赫兹波,可以更加有效地增强媒质对太赫兹载波的吸收进而改善太赫兹调制器的调制深度,提高了太赫兹调制器的调制速度,本发明采用无谐振特性的波导结构,故本发明所提出的太赫兹调制器具有宽带工作性能。 | ||
搜索关键词: | 太赫兹调制器 调制 石墨烯层 绝缘层 波导结构 石墨烯 电极 波导 硅层 媒质 电子迁移率 工作性能 太赫兹波 外侧设置 谐振特性 有效地 宽带 两层 入射 侧面 吸收 申请 发现 | ||
【主权项】:
1.一种太赫兹调制器,其特征在于,包括:波导硅层、石墨烯层、电极和绝缘层;两层石墨烯层之间设置绝缘层,每层石墨烯层的外侧设置波导硅层,每层石墨烯层上设置电极。
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