[发明专利]一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710609969.2 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107346792B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 田志;钟林建;殷冠华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L21/329 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于闪存电路中的变容二极管结构及其制造方法，包括一衬底、形成于衬底上的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的一浮栅极、与浮栅极相对而设的一控制栅极，以及形成于浮栅极和控制栅极之间的第二绝缘层；衬底上形成有一源极和一漏极；浮栅极单独引出第一连接线作为变容二极管电容的一极板，源极的引出线、漏极的引出线与控制栅极的引出线电气连接在一起形成第二连接线作为变容二极管电容的另一极板，第一绝缘层和第二绝缘层为变容二极管电容的介质层。本发明用于闪存电路中的变容二极管能够满足大容量电容需求同时又能很好兼顾芯片微小化趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 闪存 电路 中的 变容二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于闪存电路中的变容二极管结构，其特征在于，在制作所述闪存的CMOS工艺中制作所述变容二极管，其包括：/n一衬底；/n一第一绝缘层，形成于所述衬底上；/n一浮栅极，形成于所述第一绝缘层上；/n一控制栅极，与所述浮栅极相对而设；/n一第二绝缘层，形成于所述浮栅极和控制栅极之间；/n其中，所述衬底上形成有一源极和一漏极；所述浮栅极单独引出第一连接线作为所述变容二极管电容的一极板，所述源极的引出线、所述漏极的引出线与所述控制栅极的引出线电气连接在一起形成第二连接线作为所述变容二极管电容的另一极板，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为所述变容二极管电容的介质层。/n
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