[发明专利]平坦化膜的方法

摘要

一种方法包括在具有彼此相邻的第一区和第二区的衬底上形成图案化的层。图案化的层包括位于第一区中的第一部件。第二区不含图案化的层。该方法还包括在图案化的层和衬底上形成材料层；形成设置在第二区中并且围绕第一部件的第一保护环；在材料层上方形成可流动的材料(FM)层；在FM层上方形成图案化的光刻胶层，其中，图案化的光刻胶层包括多个开口；并且将多个开口转印至材料层。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及平坦化膜的方法。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成图案化的层，所述衬底具有彼此相邻的第一区和第二区，其中，所述图案化的层包括位于所述第一区中的第一部件，其中，所述第二区不含所述图案化的层；在所述图案化的层和所述衬底上形成材料层；形成设置在所述第二区中并且围绕所述第一部件的第一保护环；在所述材料层上方形成可流动的材料(FM)层；在所述可流动的材料层上方形成图案化的光刻胶层，其中，所述图案化的光刻胶层包括多个开口；以及将所述多个开口转印至所述材料层。