[发明专利]用于磁性介质图案化的抗蚀剂强化在审
| 申请号： | 201710611689.5 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107492386A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·D·本彻;罗曼·古科;史蒂文·维哈维伯克;夏立群;李龙元;马修·D·斯科特奈伊-卡斯特;马丁·A·希尔金;皮特·I·波尔什涅夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G11B5/85 | 分类号： | G11B5/85;G11B5/855;G11B5/74 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 介质 图案 抗蚀剂 强化 | ||
【主权项】：
一种具有磁化层的衬底，所述磁化层包含：多个具有第一磁性值的第一畴；多个具有第二磁性值的第二畴；以及介于所述多个第一畴与所述多个第二畴之间的过渡区，所述过渡区的尺寸小于约2nm，其中所述多个第一畴和所述多个第二畴各自的尺寸小于约25nm。
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