[发明专利]一种离子注入剂量自动控制方法及系统

摘要

本发明公开了一种离子注入剂量自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域；方法包括：分别获取当前层之前特定层的制造工序中离子注入剂量的影响参数，根据所有影响参数以及当前层的制造工序对应的注入工序的标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；将当前层的目标注入剂量与预设的目标剂量范围进行比较，以确定与目标注入剂量相匹配的目标剂量范围；选择与被确定的目标剂量范围相对应的离子注入程式，并根据被选择的离子注入程式确定当前层的制造工序中的离子注入剂量。系统依照上述方法实现。上述技术方案的有益效果是：简化离子注入剂量自动控制的复杂度，保证注入剂量调整的稳定性和安全性。

主权项

1.一种离子注入剂量自动控制方法，适用于半导体制造工艺中，所述半导体制造工艺中包括多层的制造工序；其特征在于，针对每层的所述制造工序分别预先设定一标准注入剂量；/n针对每层的所述制造工序，预先设定多个目标剂量范围，以及针对每个所述目标剂量范围分别预先设定一离子注入程式；/n针对需要进行离子剂量注入自动控制的当前层的所述制造工序的所述离子注入剂量自动控制方法具体包括：/n步骤S1，预先定义需要进行离子注入剂量自动控制的注入工艺层次、该注入工艺层次的相关特定前层制造工序、相关特定前层的所述制造工序对离子注入剂量的影响参数；/n步骤S2，根据关联于所述当前层的所有所述影响参数以及所述当前层的所述制造工序对应的所述标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；/n步骤S3，将当前层的所述目标注入剂量与预设的所述目标剂量范围进行比较，以确定与所述目标注入剂量相匹配的所述目标剂量范围；/n步骤S4，选择与被确定的所述目标剂量范围相对应的所述离子注入程式，并根据被选择的所述离子注入程式确定当前层的所述制造工序中的离子注入剂量。/n