[发明专利]3D交叉条非易失性存储器

摘要

介绍了用于非易失性存储器阵列的晶体无结型晶体管的半导体结构和方法。根据本公开的各个实施例提供了一种制造具有低热预算的单片3D交叉条非易失性存储器阵列的方法。该方法通过从晶种晶圆转移掺杂的晶体半导体材料的层以形成无结型晶体管的源极、漏极、和连接沟道来将晶体无结型晶体管并入非易失性存储器结构。本发明实施例涉及3D交叉条非易失性存储器。

主权项

一种形成非易失性存储器单元的阵列的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有上部介电层和设置在所述上部介电层下方的多个晶体管；在所述晶体管之上形成多层互连件；形成掺杂的晶体半导体层；在所述上部介电层上方设置所述掺杂的晶体半导体层；蚀刻所述掺杂的晶体半导体层以形成相对于所述衬底表面水平取向的多条纳米线；在所述多条纳米线上形成电荷捕获堆叠层；在所述电荷捕获堆叠层上形成多个栅电极；在所述多条纳米线的第一纳米线和所述多个晶体管的第一晶体管之间形成第一互连件；以及在所述多个栅电极的第一栅电极和所述多个晶体管的第二晶体管之间形成第二互连件；其中，所述衬底是块状晶圆。