[发明专利]一种高富硒怀山药的栽培方法

摘要

本发明涉及一种高富硒怀山药的栽培方法，包括无机硒肥浸种苗根茎、含硒膨润土包裹根茎、施含硒基肥、施追肥及施叶面肥几个步骤；本方法可有效改善贫硒土壤的硒背景值，通过含硒膨润土在怀山药根系周围营造局部富硒环境，利用膨润土膨胀吸附硒的特性，使硒元素不易流失，而且可以起到保肥保墒的双重作用，有利于怀山药的生长和对硒的吸收；充分满足了植物对各种形态硒的吸收和利用，促进了植物生长各阶段对硒的需求；采用本方法栽培的富硒怀山药中硒的含量比常规方法栽培提高了100%，达到0.25~0.5mg/kg。产品更有优势，能够提高生产者的效益。

主权项

一种高富硒怀山药的栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：无机硒肥浸种苗根茎：用无机硒肥稀释液浸泡怀山药根茎2‑4h，取出沥干育苗或栽种；步骤二：含硒膨润土包裹根茎：即用水调和基土、无机硒肥、膨润土和生石灰制成含硒膨润土，握至团状包裹在根茎周围，栽种；步骤三：施含硒基肥：即在基肥中混入无机硒肥；步骤四：施追肥：每亩用无机硒肥10~50g，用水淋根；步骤五：施叶面肥：每亩用无机硒肥10~20g、有机硒肥10~20g，在怀山药生长期内叶面喷洒2~6次。