[发明专利]一种硅片光刻版工艺有效
| 申请号： | 201710615692.4 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309078B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王晓捧;史丽萍;杨玉聪;牛慧锋 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种硅片光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片；所述S1光刻时硅片采用白方块点划线式基准线；所述S2腐蚀出点划线式基准线；所述S4采用湿法刻蚀去除氧化层。本发明相较于原工艺的有益效果是：可以采用湿法去除氧化层，且能保留硅片表面面清晰的基准线，便于后续切割时有轨迹可依；光刻工序减少了背胶的步骤，缩短了流程，降低了化工料的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种硅片光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片，其特征在于：进行所述S1步骤时采用白方块点划线式基准线；进行所述S2步骤时腐蚀出点划线式基准线。
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