[发明专利]兆赫互补金属氧化物半导体传感器在审
| 申请号： | 201710615892.X | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107731859A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 海姆·戈尔伯格;彼得·福尔德西;奥马尔·埃谢特 | 申请（专利权）人： | 纳特拉技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/66 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 以色列耶*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于接收多个兆赫信号的成像传感器，包含一芯片，由一介电材料制成；一个或多个天线，用于接收多个兆赫信号，并安置在所述芯片的一顶部或所述芯片内的一上层中；其中每个所述天线具有一CMOS检测器电耦合到所述天线，并安置在所述天线下方的所述芯片中；一金属屏蔽层，位在所述天线下方的所述芯片中及所述多个CMOS检测器上方，用以屏蔽所述CMOS检测器免受多个干扰信号干扰；及一屏蔽层，位在所述芯片下方，并包含一金属涂层及/或一层银环氧树脂胶，用于将所述芯片的底部附接到一引线框架。 | ||
| 搜索关键词： | 兆赫 互补 金属 氧化物 半导体 传感器 | ||
【主权项】：
一种用于接收多个兆赫信号的成像传感器，其特征在于：所述成像传感器包含：一芯片，由一介电材料制成；一个或多个天线，用于接收多个兆赫信号，并安置在所述芯片的一顶部或所述芯片内的一上层中；其中每个所述天线具有一CMOS检测器电耦合到所述天线，并安置在所述天线下方的所述芯片中；一金属屏蔽层，位在所述天线下方的所述芯片中及所述多个CMOS检测器上方，用以屏蔽所述CMOS检测器免受多个干扰信号干扰；及一屏蔽层，位在所述芯片下方，并包含一金属涂层及/或一层银环氧树脂胶，用于将所述芯片的底部附接到一引线框架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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