[发明专利]一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池

摘要

本发明提供了一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池。所述PIN异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层、P型黑磷烯层、透明导电层和上电极，其中N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层和P型黑磷烯层形成的PIN异质结为径向异质结。本发明的电池结构简单，硅纳米线阵列的设置提高了该太阳能电池对太阳光的吸收效率，黑磷烯作为新型二维半导体材料，与N型硅纳米线阵列以及本征非晶锗层形成PIN异质结，可以有效的进行光电转换，且径向结构的设置，便于电子空穴对的分离与传输，进一步提高了该太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池，其特征在于：所述PIN异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层、P型黑磷烯层、透明导电层和上电极，其中N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层和P型黑磷烯层形成的PIN异质结为径向异质结，N型硅纳米线阵列的单个硅纳米线的长度为0.5‑1微米，所述单个硅纳米线的直径为50‑100纳米，相邻硅纳米线的间距为200‑500纳米，所述本征非晶锗层的厚度为20‑100纳米，所述P型黑磷烯层的厚度为20‑150纳米。