[发明专利]钕铁硼永磁防腐绝缘镀层的制备方法及具有该镀层的钕铁硼永磁体有效

专利信息
申请号: 201710616213.0 申请日: 2017-07-26
公开(公告)号: CN107419231B 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 陈刚;康振东;张浙军;邓广林 申请(专利权)人: 沈阳广泰真空科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/06;H01F41/02
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摘要: 发明提出一种钕铁硼永磁防腐绝缘镀层的制备方法及具有该镀层的钕铁硼永磁体,能够在不影响钕铁硼永磁体磁通量的前提下,制备获得牢固性和耐腐蚀效果好的钕铁硼永磁防腐绝缘镀层。该制备方法包括如下步骤:清洗半成品钕铁硼永磁体表面,去除污染物后烘干;将烘干的钕铁硼永磁体置于真空镀膜机的离子活化区,采用离子源对所述钕铁硼永磁体的表面进行活化处理;将活化后的钕铁硼永磁体移至真空镀膜机的真空镀膜区,在≤100℃下,采用真空磁控溅射方式在活化后的钕铁硼永磁体的表面依次沉积结合层、内保护层、过渡层和外保护层。
搜索关键词: 钕铁硼 永磁 防腐 绝缘 镀层 制备 方法 具有 永磁体
【主权项】:
1.一种钕铁硼永磁防腐绝缘镀层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n表面预处理:清洗半成品钕铁硼永磁体表面,去除污染物后烘干;/n表面活化:将烘干的钕铁硼永磁体置于真空镀膜机的离子活化区,采用离子源对所述钕铁硼永磁体的表面进行活化处理;/n真空镀膜:将活化后的钕铁硼永磁体移至真空镀膜机的真空镀膜区,在≤100℃下,采用真空磁控溅射方式在活化后的钕铁硼永磁体的表面依次沉积结合层、内保护层、过渡层和外保护层;所述结合层的厚度为10nm-1000nm,所述内保护层的厚度为1μm-10μm,所述过渡层的厚度为10nm-1000nm,所述外保护层的厚度为0.3μm-6μm;所述结合层的材料选自Al、Cr、Ti或不锈钢中的一种或多种;所述内保护层的材料选自Sn、Zn、Cu、Al、Si-Al、Zn-Al或Sn-Zn中的一种或多种;所述过渡层的材料选自Sn、Zn、Al、Si-Al、Zn-Al、Sn-Zn、SnO2、ZnO或Al2O3中的一种或多种;所述外保护层的材料选自Al2O3、AlN、Cr2O3、TiO2、SiO2、Si3N4、TiN或CrN中的一种或多种。/n
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