[发明专利]静电放电保护装置、电路及其制作方法有效
| 申请号： | 201710616644.7 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807364B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 洪慈忆;陈信良 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于静电放电(ESD)保护装置、电路及其制作方法。其中，静电放电保护装置包括：第一掺杂剂类型的基础阱，位于基底上；第一掺杂剂类型的第一阱，位于基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，位于基础阱中；第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及第二掺杂剂类型的第二高掺杂区，位于第一阱中；第二掺杂剂类型的第三高掺杂区，位于第二阱中；以及第一掺杂剂类型的第四高掺杂区，位于第三高掺杂区中。第一高掺杂区与第二高掺杂区耦合至第一电压端子，且第三高掺杂区及第四高掺杂区耦合至第二电压端子。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电(ESD)保护装置，包括：第一掺杂剂类型的基础阱，设置于基底上；所述第一掺杂剂类型的第一阱，设置于所述基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，设置于所述基础阱中；所述第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及所述第二掺杂剂类型的第二高掺杂区，设置于所述第一阱中；所述第二掺杂剂类型的第三高掺杂区，设置于所述第二阱中；以及所述第一掺杂剂类型的第四高掺杂区，设置于所述第三高掺杂区中，其中，所述第一高掺杂区与所述第二高掺杂区耦合至第一电压端子，且所述第三高掺杂区及所述第四高掺杂区耦合至不同的第二电压端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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