[发明专利]静电放电保护元件在审

专利信息
申请号: 201710617014.1 申请日: 2017-07-26
公开(公告)号: CN109309084A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 谢志泓;曾清秋;许志维 申请(专利权)人: 敦南科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种静电放电保护元件,其包括:基底、磊晶层、第一内部掺杂区、第二内部掺杂区、第一顶部掺杂区、第二顶部掺杂区以及导电层。基底上具有一第一元件区以及一第二元件区,磊晶层设于基底上,第一内部掺杂区与第二内部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且接近基底与磊晶层的接面,第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且分别从磊晶层的表面外露,导电层电性连接第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区。据此,本发明能有效降低箝制电压。
搜索关键词: 掺杂区 磊晶层 基底 第二元件 第一元件 静电放电保护元件 导电层电性 箝制电压 导电层 外露 接面
【主权项】:
1.一种静电放电保护元件,其特征在于,该静电放电保护元件包括:一基底,具有一第一导电型,其中该基底上具有一第一元件区、一第二元件区以及一设于该第一元件区与该第二元件区之间的隔离区;一磊晶层,设于该基底上,且具有一不同于该第一导电型的第二导电型;一第一内部掺杂区与一第二内部掺杂区,分别设于该第一元件区与该第二元件区内,且接近该基底与该磊晶层的接面,其中该第一内部掺杂区具有该第二导电型,且该第二内部掺杂区具有该第一导电型;一第一顶部掺杂区与一第二顶部掺杂区,分别设于该第一元件区与该第二元件区内,且分别从该磊晶层的表面外露,其中该第一顶部掺杂区具有该第一导电型,且该第二顶部掺杂区具有该第二导电型;及一导电层,电性连接该第一顶部掺杂区与该第二顶部掺杂区。
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