[发明专利]静电放电保护元件在审
申请号: | 201710617014.1 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109309084A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 谢志泓;曾清秋;许志维 | 申请(专利权)人: | 敦南科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种静电放电保护元件,其包括:基底、磊晶层、第一内部掺杂区、第二内部掺杂区、第一顶部掺杂区、第二顶部掺杂区以及导电层。基底上具有一第一元件区以及一第二元件区,磊晶层设于基底上,第一内部掺杂区与第二内部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且接近基底与磊晶层的接面,第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且分别从磊晶层的表面外露,导电层电性连接第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区。据此,本发明能有效降低箝制电压。 | ||
搜索关键词: | 掺杂区 磊晶层 基底 第二元件 第一元件 静电放电保护元件 导电层电性 箝制电压 导电层 外露 接面 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电保护元件,其特征在于,该静电放电保护元件包括:一基底,具有一第一导电型,其中该基底上具有一第一元件区、一第二元件区以及一设于该第一元件区与该第二元件区之间的隔离区;一磊晶层,设于该基底上,且具有一不同于该第一导电型的第二导电型;一第一内部掺杂区与一第二内部掺杂区,分别设于该第一元件区与该第二元件区内,且接近该基底与该磊晶层的接面,其中该第一内部掺杂区具有该第二导电型,且该第二内部掺杂区具有该第一导电型;一第一顶部掺杂区与一第二顶部掺杂区,分别设于该第一元件区与该第二元件区内,且分别从该磊晶层的表面外露,其中该第一顶部掺杂区具有该第一导电型,且该第二顶部掺杂区具有该第二导电型;及一导电层,电性连接该第一顶部掺杂区与该第二顶部掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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