[发明专利]一种SnSe2晶体化合物及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710617019.4 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107400917A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;舒月姣;郑刚;柳伟;鄢永高 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B28/08;C30B29/46;H01L35/16 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 唐万荣,李欣荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SnSe2晶体化合物的制备方法，首先以Sn颗粒、Se颗粒和SnCl2粉为原料，进行加热熔融、冷却得锭体材料；然后置于区熔炉中，采用区熔工艺进行定向生长，得所述SnSe2晶体化合物。本发明首次提出采用熔融结合区熔工艺制备SnSe2化合物准单晶材料，所得产物具有较好的单相性、致密性，并具有较好的准单晶结构；对SnSe2基材料进行掺杂改进，可大幅度提升所得掺杂样品的热电性能；此外，本发明涉及的制备时间短、操作简单，设备要求低，适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 snse2 晶体 化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种SnSe2晶体化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以Sn颗粒、Se颗粒和SnCl2粉为原料，然后进行加热熔融、随炉冷却得锭体材料；2)将步骤1)所得锭体材料置于区熔炉中，采用区熔工艺进行定向生长，得所述SnSe2晶体化合物。
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