[发明专利]一种超低漏电水平的低压TVS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710618686.4 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107331711B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王志超;张慧玲;朱明 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超低漏电水平的低压TVS器件及其制造方法，其纵向结构N+击穿区（1）与N+吸杂区（2）可采用垂直交叉式结构或圆形环状式结构。N+吸杂区（1）的结深为15~25um，宽度范围为20~50um，N+击穿区（2）的结深为8~15um，宽度范围为根据不同IPP要求定制；所述N+吸杂区与N+击穿区的间隙设计要求为5~50um。N+吸杂区的主要目的为吸收硅单晶在高温过程中产生的氧化诱生缺陷，形成重度缺陷区域，而N+击穿区则为器件实际有效工作区。通过该发明，实现了低漏电水平，并满足对高I |
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| 搜索关键词： | 一种 漏电 水平 低压 tvs 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超低漏电水平的低压TVS器件，包括N+吸杂区（1）和N+击穿区（2），其特征在于：所述N+吸杂区（1）旁设有N+击穿区（2），两个区域间的间隙设为5~50um，两个区域的上表面设有SiO2钝化层（3）将两个区域进行隔离，最终在上表面蒸发钛镍银金属（4），将击穿区互联；N+击穿区（1）与N+吸杂区（2）采用垂直交叉式结构或圆形环状式结构。
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