[发明专利]半导体功率器件及其制备方法

摘要

本发明提供了半导体功率器件及其制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底中，且靠近衬底的上表面设置的阱区；位于阱区中，且靠近衬底的上表面设置的源区；位于衬底的上表面的栅极氧化层；位于栅极氧化层的上表面的栅极；位于栅极的上表面的栅极保护层；位于栅极保护层的上表面的接触电极；位于源区、栅极氧化层、栅极、栅极保护层和接触电极之间的侧墙，该侧墙包括位于栅极氧化层上表面且覆盖栅极和栅极保护层侧壁的第一侧墙；位于源区上表面，且覆盖栅极氧化层、第一侧墙和接触电极侧壁、并与源区和接触电极电连接的第二侧墙，其中，第一侧墙由绝缘材料形成，第二侧墙由导电材料形成。该器件可实现较小元胞尺寸，较高稳定性，并且大大降低了源区接触电阻和导通时源区的长度。

主权项

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：衬底；阱区，所述阱区位于所述衬底中，且靠近所述衬底的上表面设置；源区，所述源区位于所述阱区中，且靠近所述衬底的上表面设置；栅极氧化层，所述栅极氧化层位于所述衬底的上表面，且覆盖所述阱区和所述源区上表面的一部分；栅极，所述栅极位于所述栅极氧化层的上表面；栅极保护层，所述栅极保护层位于所述栅极的上表面；接触电极，所述接触电极位于所述栅极保护层的上表面，且贯穿所述栅极保护层、所述栅极和所述栅极氧化层，并与所述源区和所述阱区电连接；侧墙，所述侧墙位于所述源区、所述栅极氧化层、所述栅极、所述栅极保护层和所述接触电极之间；其中，所述侧墙包括：第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极氧化层上表面，且覆盖所述栅极和所述栅极保护层靠近所述接触电极的侧壁；第二侧墙，所述第二侧墙位于所述源区上表面，且覆盖所述栅极氧化层和所述第一侧墙靠近所述接触电极的侧壁，并与源区和接触电极电连接；其中，所述第一侧墙由绝缘材料形成，所述第二侧墙由导电材料形成。