[发明专利]一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法有效
| 申请号： | 201710620602.0 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107574456B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张璋;胡蝶;向杰;程鹏飞;王新 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04;B01J27/051 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线（SiNWs/MoS | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米线 异质结结构 二硫化钼纳米片 硅纳米线阵列 二硫化钼 制备 退火 催化活性位点 金属纳米颗粒 催化稳定性 产氢效率 制备工艺 光催化 硫粉末 纳米片 前驱体 氧化钼 硅片 衬底 构建 刻蚀 催化 清洗 生长 | ||
【主权项】：
1.一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1.清洗硅片；/nS2.所述硅片通过金属纳米颗粒催化辅助刻蚀硅纳米线阵列；/n所述S2中通过金属纳米颗粒催化辅助刻蚀采用的金属离子刻蚀剂是由0.02M硝酸银溶液和4.8M氢氟酸混合而成；/n采用金属纳米颗粒催化辅助刻蚀剂反应20～40min后，再采用0.5M硝酸溶液冲洗后，浸泡于去离子水中1～3min，得到硅纳米线阵列；/nS3.将S2中制备好的硅纳米线阵列用5％的氢氟酸溶液浸泡5min，然后用大量的去离子水冲洗，用氮气将其吹干后置于均匀分散有三氧化钼的陶瓷舟上方，置于真空管式炉Ⅱ区或Ⅲ区的中央，并将硫粉末均匀分散另一个陶瓷舟中，放置在置于真空管式炉Ⅰ区的中央，密封三温区真空管式炉石英管法兰，然后通入氩气或氮气作为载气，以20～30℃/min的升温速率，从室温升温至生长温度600℃，保持10～30min，然后真空管式炉以40～50℃/min的降温速率降温至室温，在升温阶段和降温阶段时，载气量为150～200sccm；生长阶段其载气量为30～60sccm，真空管式炉的石英管内气压保持一个大气压状态，得到超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构材料。/n
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