[发明专利]一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法在审

专利信息
申请号: 201710620922.6 申请日: 2017-07-27
公开(公告)号: CN107422611A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 刘磊;殷履文;李永康;王溯源;王发稳;夏久龙 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法,该方法包括(1)取一块ASML标准掩膜版;(2)取另一块ASML标准掩膜版;(3)使用专用4英寸GaAs圆片,校准ASML扫描式光刻机的焦平面各项参数;(4)选用4英寸GaAs圆片,表面涂盖光刻胶;(5)ASML扫描式光刻机在步骤(4)所述的GaAs圆片上分别曝光对准标记图形和第一层套刻匹配图形;(6)曝光后GaAs圆片显影,显影后干法刻蚀;去除光刻胶后,重新涂盖与步骤(4)相同的光刻胶;(7)ASML步进式光刻机在GaAs圆片上曝光第二层套刻匹配图形,实现两台设备的套刻匹配。优点1)简单易行;2)套刻匹配灵活。
搜索关键词: 一种 实现 asml 不同 型号 光刻 机套 匹配 方法
【主权项】:
一种实现ASML步进式光刻机和ASML扫描式光刻机套刻匹配的方法,其特征是该方法包括如下步骤:(1)使用一块ASML标准掩膜版,该掩膜版包含用于圆片对准的标记图形;(2)使用另一块ASML标准掩膜版,该掩膜版包含用于步进式光刻机和扫描式光刻机套刻匹配的图形;(3)使用专用4英寸GaAs圆片,校准ASML扫描式光刻机的焦平面各项参数;(4)选用4英寸GaAs圆片,表面涂盖光刻胶;(5)ASML扫描式光刻机利用步骤(1)及步骤(2)中的掩膜版在步骤(4)所述的GaAs圆片上分别曝光对准标记图形和第一层套刻匹配图形;(6)曝光后GaAs圆片显影,显影后干法刻蚀;去除光刻胶后,重新涂盖与步骤(4)相同的光刻胶;(7)ASML步进式光刻机利用步骤(2)中的掩膜版在GaAs圆片上曝光第二层套刻匹配图形,显影后测试两层的套刻精度误差,软件自动补偿ASML步进式光刻机的相关参数,实现两台设备的套刻匹配。
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