[发明专利]一种双带宽的超导纳米线单光子探测器有效
| 申请号： | 201710621411.6 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107564990B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 金飚兵;韩诗颖;郑帆;朱广浩;康琳;许伟伟;陈健;吴培亨 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0232;G01J11/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 江苏银创律师事务所 32242 | 代理人： | 孙计良 |
| 地址： | 210001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双带宽的超导纳米线单光子探测器，包括衬底、第一布拉格反射镜、硅层、二氧化硅层、氮化铌纳米线和第二布拉格反射镜；第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均包含有若干个周期的周期性介质层，且第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜所包含的周期数不同；第一布拉格反射镜设置在衬底的上表面，硅层设置在第一布拉格反射镜的上表面，二氧化硅层设置在硅层的上表面，氮化铌纳米线设置在二氧化硅层内部，第二布拉格反射镜设置在二氧化硅层的上表面。本发明的单光子探测器对G652和G655两种单模光纤所对应波段的光子的光子吸收率均超过95%，具有产业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带宽 导纳 米线 光子 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种双带宽的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，包括衬底(1)、第一布拉格反射镜(2)、二氧化硅层(4)、氮化铌纳米线(5)和第二布拉格反射镜(6)；第一布拉格反射镜(2)和第二布拉格反射镜(6)中均包含有若干个周期的周期性介质层，且第一布拉格反射镜(2)和第二布拉格反射镜(6)所包含的周期数不同；第一布拉格反射镜(2)设置在衬底(1)的上表面，二氧化硅层(4)设置在第一布拉格反射镜(2)的上面，氮化铌纳米线(5)设置在二氧化硅层(4)内部，第二布拉格反射镜(6)设置在二氧化硅层(4)的上表面；还包括用于调节第一布拉格反射镜(2)相位的硅层(3)；硅层(3)设置于第一布拉格反射镜(2)和二氧化硅层(4)之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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